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BTS112A是MOSFET N-Ch 60V 6.7A TO220-3，包括BTS112系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于BTS112ANKSA1 SP000011185，提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及to-220-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为40 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为55 ns，上升时间为30 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为6.7A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-电源电阻为150m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型接通延迟时间为15ns，沟道模式为增强。
BTS113和FEELING制造的用户指南。BTS113在TO220封装中可用，是FET的一部分-单个。
带有INFINEON制造的电路图的BTS113A。BTS113A在TO-263封装中提供，是FET的一部分-单个。
BTS113A E3045A是INFINEON制造的MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB。BTS113A E3045A可用于TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB。
