9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BTS244ZNKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BTS244ZNKSA1参考价格为1.596美元。Infineon Technologies BTS244ZNKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5-3。您可以下载BTS244ZNKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BTS244ZE3043AKSA2带有引脚细节，包括BTS244系列，它们设计用于管式包装，零件别名如数据表注释所示，用于BTS244Z E3043 SP000969782，提供单位重量功能，如0.105822盎司，安装样式设计用于通孔，以及to-220-5封装盒，该设备也可作为Si技术使用。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为170 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-40 C，下降时间为25 ns，上升时间为70 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为19A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.6V，Rds导通漏极-漏极电阻为13m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型导通延迟时间为15ns，Qg栅极电荷为85nC，正向跨导最小值为25S，并且信道模式是增强。
带有用户指南的BTS244ZE3062AATMA2，包括1.6V Vgs的栅极-源极阈值电压，它们设计为在20V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，适用于55V，提供典型的开启延迟时间功能，如15ns，典型的关闭延迟时间设计为40ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为70 ns，器件的漏极-源极电阻为13 mOhms，Qg栅极电荷为85 nC，Pd功耗为170 W，零件别名为BTS244Z E3062A SP000910844，封装为卷轴，封装盒为TO-263-5，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-40℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏极电流为19 A，正向跨导最小值为25 S，下降时间为25 ns，配置为单一，信道模式为增强。
BTS244Z是INFINEON制造的MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5。BTS244Z在TO-220-5成型引线封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5。
BTS244Z E3062A是INFINEON制造的MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5。BTS244Z E3062A采用TO-263-5，D²Pak（4引线+接线片），TO-263BB封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5，N沟道55V 35B（Tc）170W（Tc，表面安装PG-TO220-5-62。
