9icnet为您提供由onsemi设计和生产的SFT1431-TL-E，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SFT1431-TL-E参考价格为1.174美元。onsemi SFT1431-TL-E封装/规格：MOSFET N-CH 35V 11A TP-FA。您可以下载SFT1431-TL-E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SFT1423-TL-E是MOSFET开关器件，包括SFT1423系列，它们设计用于卷盘封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供TP-3等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数的通道，该器件也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供20 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为27 ns，上升时间为8.8 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为2 A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.9欧姆，晶体管极性为N沟道，典型的关断延迟时间为42ns，典型的接通延迟时间为7.4ns，Qg栅极电荷为8.7nC，正向跨导Min为1.1S。
SFT1431-E是MOSFET NCH 4V DRIVE系列，包括35 V Vds漏极-源极击穿电压，其设计工作单位重量为0.13932 oz。数据表说明中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于Si，以及SFT1431系列，该器件也可以用作25毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为1 W，该器件采用散装封装，该器件具有IPAK-3封装盒，通道数为1通道，安装方式为通孔，Id连续漏电流为11 a。
SFT1427，电路图由SANYO制造。SFT1427采用SOT-252封装，是IC芯片的一部分。
