9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NDD04N60ZT4G,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。NDD04N60ZT4G参考价格为11.028美元。onsemi NDD04N60ZT4G封装/规格:MOSFET N-CH 600V 4.1A DPAK。您可以下载NDD04N60ZT4G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NDD04N60Z-1G是MOSFET N-CH 600V 4A IPAK,包括管式封装,其设计可在0.139332盎司的单位重量下工作,安装方式如数据表注释所示,用于通孔,提供IPAK-3等封装外壳功能,技术设计可在Si中工作,以及1通道数量的通道,该设备也可作为单配置使用。此外,晶体管类型为1 N沟道,该器件提供83 W Pd功耗,该器件具有4.1 a的Id连续漏极电流,Vds漏极-源极击穿电压为600 V,Vgs栅极-源极阈值电压为4.5 V,Rds漏极源极电阻为1.8欧姆,晶体管极性为N沟道、Qg栅极电荷为19 nC,并且正向跨导Min为3.3S。
NDD04N60Z带有ON制造的用户指南。NDD04S60Z可在TO-252封装中获得,是FET的一部分-单个。
NDD04N60ZG,带有ON制造的电路图。NDD04S60ZG采用TO252封装,是IC芯片的一部分。