9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMS3016SSSA-13,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。DMS3016SSSA-13参考价格$2.16。Diodes Incorporated DMS3016SSA-13封装/规格:MOSFET N-CH 30V 9.8A 8SO。您可以下载DMS3016SSSA-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMS3016SSS-13是MOSFET N-CH 30V 9.8A 8SO,包括DMS30系列,它们设计用于卷筒包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.002610盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,封装盒设计用于SO-8,以及Si技术,该设备也可以用作1信道数信道。此外,该配置为单肖特基二极管,该器件为1 N沟道晶体管型,该器件具有1.54 W的Pd功耗,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,Id连续漏电流为9.8 a,Vds漏极-源极击穿电压为30 V,漏极-源极电阻Rds为16m欧姆,晶体管极性为N沟道,Qg栅极电荷为43nC,沟道模式为增强。
DMS3016SFG-7是由DIODES制造的MOSFET N-CH 30V 7A PWRDI3333-8。DMS3016SFG-7采用8-PowerWDFN封装,是FET的一部分-单个,支持MOSFET N-CH 30V 7A PWRDI3333-8、N沟道30V 7A(Ta)980mW(Ta)表面安装PowerDI3333-8。
DMS3016SSS-13-F,电路图由DIODES制造。DMS3016SSS-13-F采用SOP-8封装,是IC芯片的一部分。