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STF10P6F6是MOSFET P-CH 60V 0.13Ohm 10A STripFET VI，包括P沟道STripMOSFET系列，它们设计用于管封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.011640盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装外壳设计用于to-220-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有20W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为3.7 ns，上升时间为5.3 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为10 a，Vds漏极-源极击穿电压为-60 V，Vgs栅极-源极阈值电压为2 V至4 V，Rds导通漏极-漏极电阻为160 mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为14 ns，典型接通延迟时间为64 ns，Qg栅极电荷为6.4 nC。
STF110N10F7是MOSFET N-CH 100V 5.1 mOhm 45A STripFET VII，包括4.5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，提供单位重量功能，如0.011640 oz，典型开启延迟时间设计为25 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有串联N沟道STripFET，上升时间为36ns，Rds漏极-源极电阻为7mOhms，Qg栅极电荷为72nC，Pd功耗为30W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1沟道，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为45 A，下降时间为21 ns，配置为单一。
带电路图的STF11N50M2，包括增强信道模式，它们设计为单配置运行，下降时间如数据表注释所示，用于28.5 ns，提供Id连续漏电流功能，如8 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-220FP-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为25W，Qg栅极电荷为12nC，漏极电阻Rds为450m欧姆，上升时间为9ns，系列为MDmesh M2，技术为Si，晶体管极性为N信道，典型关断延迟时间为8ns，典型接通延迟时间为11ns，单位重量为0.081130oz，Vds漏极-源极击穿电压为550V，Vgs栅源极电压为25V，Vgsth栅源极阈值电压为2V。
STF10NM65N是MOSFET N-CH 650V 9A TO-220FP，包括管封装，它们设计为与TO-220-3封装盒一起工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供单孔等配置功能，技术设计为在Si以及N沟道MDmesh系列中工作，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，信道模式为增强型，该器件提供9 A Id连续漏极电流，器件具有8 ns的上升时间，Vds漏极-源极击穿电压为650 V，典型关断延迟时间为50 ns，Rds漏极源极电阻为480 mOhms，Pd功耗为25 W，Vgs栅极-源极电压为25 V，下降时间为20 ns，典型的开启延迟时间为12ns，晶体管类型为1N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.011640oz，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃。
