这是一种N沟道增强型硅栅功率场效应晶体管，设计用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及需要高速和低栅极驱动功率的高功率双极开关晶体管的驱动器等应用。这种类型可以直接从集成电路操作。
特征
1.5.8A，200V
2.rDS（开）=0.600Ω
3.SOA功耗有限
4.纳秒开关速度
5.线性传递特性
6.高输入阻抗
7.多数载波设备
8相关文献–TB334“将表面安装组件焊接到PC板的指南”
文件中的其他数据表：BUZ73
BUZ73A
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Tc) 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
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规格参数
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至220-3
- 漏源电压标 (Vdss) 200伏
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 供应商设备包装 PG-TO220-3
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 1毫安
- 漏源电流 (Id) @ 温度 5.5A (Tc)
- 最大功耗 40W (Tc)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 530 pF @ 25 V
- 部件状态 过时的
- 导通电阻 Rds(ON) 600毫欧姆 @ 4.5A, 10V
BUZ73A 产品详情
BUZ73A 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BUZ11S2537 | N CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TRANS | ¥3.33173 | |
| BUZ60BU | 400V, N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥71.27014 | |
| BUZ21P2 | 100V, N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥4.92517 | |
 | BUZ103SL | 英飞凌 (Infineon) | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.10044 |
 | BUZ76A | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A（Tc） 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.05602 | |
 | BUZ32H3045A | 英飞凌 (Infineon) | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥4.05602 |
 | BUZ102SL | 英飞凌 (Infineon) | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.82473 |
 | BUZZER-KIT-ND | 东京电气化学 (TDK) | MAGNETIC BUZZER KIT | ¥363.37629 |
| BUZ74A | 英飞凌 (Infineon) | ¥2.61251 | |
| BUZ31H3045A | 英飞凌 (Infineon) | ¥7.37182 |
BUZ73A所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，BUZ73A 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BUZ73A价格参考￥2.897160，你可以下载 BUZ73A中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BUZ73A规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
