9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP20NM65N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STP20NM65N参考价格$3.832。STMicroelectronics STP20NM65N封装/规格：MOSFET N-CH 650V 15A TO220。您可以下载STP20NM65N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STP20NM60是MOSFET N-CH 600V 20A TO-220，包括MDmesh？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.050717盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-220-3，以及Si技术，其工作温度范围为150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-220AB，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为192W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为600V，输入电容Cis-Vds为1500pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为20A（Tc），最大Id Vgs的Rds为290 mOhm@10A，10V，Vgs的最大Id为5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为54nC@10V，Pd功耗为192 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，下降时间为11 ns，上升时间为20ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为20A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为290mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为42ns，典型导通延迟时间为25ns，沟道模式为增强型。
STP20NM60FD是由ST制造的MOSFET N-CH 600V 20A TO-220。STP20NM60 FD以TO-220-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH600V 20A TO-220、N沟道600V 20A（Tc）192W（Tc）通孔TO-220AB。
STP20NM60FP是由ST制造的MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP。STP20NM60 FP可提供TO-220-3全封装封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH600V 20A TO 220FP、N沟道600V 20A（Tc）45W（Tc）通孔TO-220FP。
