9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STH180N10F3-6，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STH180N10F3-6参考价格$21.726。STMicroelectronics STH180N10F3-6封装/规格：MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6。您可以下载STH180N10F3-6英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STH170N8F7-2带有引脚细节，包括N沟道STripFET系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3以及Si技术，该设备也可用作1信道数信道。此外，Pd功耗为250W，其最大工作温度范围为+175C，最小工作温度范围是-55C，下降时间为37ns，上升时间为53ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20V，Id连续漏极电流为120A，Vds漏极-源极击穿电压为80V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为2.5V至4.5V，Rds漏极-源极电阻为3.7mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为79ns，典型接通延迟时间为38ns，Qg栅极电荷为120nC，沟道模式为增强。
STH180N10F3-2是MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于100 V，提供单位重量功能，如0.13932盎司，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为N沟道STripFET，该器件的上升时间为97.1 ns，该器件具有4.5 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为114.6 nC，Pd功耗为315 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏极电流为120 a，下降时间为6.9ns。
STH175N4F6-2AG带有电路图，包括SMD/SMT安装类型，它们设计用于to-252-3封装盒，包装如数据表说明所示，用于卷筒，提供N通道STripFET等系列功能，技术设计用于Si，以及0.13932盎司单位重量。
STH175N4F6-6AG，带EDA/CAD型号，包括TO-263-7封装盒，设计用于SMD/SMT安装方式，技术如数据表说明所示，用于Si，提供卷轴等封装功能，系列设计用于N通道STripFET，以及0.056438盎司单位重量。
