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STL160NS3LLH7是MOSFET功率MOSFET，包括N沟道STripFET系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如PowerFlat-8，技术设计用于Si，以及1沟道数的信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供4.8 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为19.5 ns，上升时间为21.3 ns，Vgs栅源电压为+/-20 V，Id连续漏电流为36 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.3V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.1mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50.7ns，典型接通延迟时间为12.4ns，Qg栅极电荷为20nC，沟道模式为增强。
STL160N3LLH6是MOSFET N-Ch 30V 0.0011 Ohm 35A STripFET VI，包括1 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计用于20 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于30 V，提供晶体管类型功能，如1 N通道，晶体管极性设计用于N通道，该器件也可以用作N沟道STripFET系列。此外，上升时间为32 ns，器件提供1.1 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有61.5 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为80 W，封装为卷轴式，封装外壳为PowerFlat-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏极电流为160 a，下降时间为54 ns。
STL-1-600-8-01，带有电路图，它们的设计高度为1.780“（45.21mm），材料如数据表注释所示，用于聚酰胺（PA66）尼龙6/6，具有UL94 V-2等材料易燃等级特性，安装类型设计用于箭头、翼形以及0.500“~0.598”（12.70mm~15.19mm）开口尺寸，该设备也可用作散装包装。此外，面板孔尺寸为0.157“（4.00mm），该设备为TWIST-LOK系列，该设备具有夹子、扭锁类型，类型属性为支架。
