9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPP50R500CEXKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPP50R500CEXKSA1参考价格为0.33000美元。Infineon Technologies IPP50R500CEXKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 500V 7.6A TO220-3。您可以下载IPP50R500CEXKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPP50R380CEXKSA1是MOSFET N-Ch 500V 32.4A TO220-3，包括IPP50R180系列，它们设计用于管式封装，零件别名显示在IPP50R280CE SP000850818中使用的数据表注释中，该产品提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商标，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为73 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8.6 ns，上升时间为5.6 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为32.4A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs第th栅极-源阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为380mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型导通延迟时间为7.2ns，Qg栅极电荷为24.8nC。
IPP50R399CP是MOSFET N-Ch 500V 9A TO220-3 CoolMOS CP，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如35 ns，典型的关闭延迟时间设计为80 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为CoolMOS，该器件采用Si技术，该器件具有串联的CoolMOS CP，上升时间为14 ns，漏极源极电阻Rds为399 mOhms，Pd功耗为83 W，零件别名为IPP50R399CPHKSA1 IPP50R199CPXK IPP50R299CPXKSA1 SP000680942，包装为管，包装箱为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为9 A，下降时间为14 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPP50R500CE是MOSFET N-Ch 500V 7.6A TO220-3 CoolMOS CE，包括单一配置，它们设计为在7.6 a Id连续漏极电流下工作，其最大工作温度范围为+150 C，提供安装方式特征，如通孔、通道数设计为在1个通道中工作，以及to-220-3封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，部件别名为IPP50R500CEXK IPP50R5 00CEXKSA1 SP000939326，该器件提供57 W Pd功耗，该器件具有18.7 nC的Qg栅极电荷，漏极-源极电阻Rds为500 mOhm，系列为CoolMOS CE，技术为Si，商品名为CoolOS，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.211644盎司，Vds漏极-源极击穿电压为500伏，Vgs栅极-源极电压为20伏。
IPP50R399CPXKSA1是MOSFET N-Ch 560V 9A TO220-3，包括管封装，它们设计为与to-220-3封装盒一起工作，数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供晶体管极性特性，如N沟道，零件别名设计用于IPP50R199CP IPP50R299CPXK SP000680942以及IPP50R499系列，该设备也可以用作CoolMOS商标。此外，Id连续漏极电流为9 A，该器件提供500 V Vds漏极-源极击穿电压，该器件具有399 mOhms的漏极-漏极电阻，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.211644盎司。
