9icnet为您提供NXP USA Inc.设计和生产的PSMN4R6-100XS，127，在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。PSMN4R6-100XS，127价格参考1.24000美元。NXP USA Inc.PSMN4R6-100XS，127封装/规格：MOSFET N-CH 100V 70.4A TO220F。您可以下载PSMN4R6-100XS，127英文数据，引脚图，数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图，功能的应用电路图，电压，使用方法和教程。
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PSMN4R0-30YLDX，带引脚细节，包括TrenchMOS？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供SC-100、SOT-669、4-LFPAK等封装盒功能，技术设计用于Si，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该设备也可用作表面安装安装类型。此外，信道数为1信道，该设备采用LFPAK Power-SO8供应商设备包提供，该设备具有单三重源配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为64W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为1272pF@15V，FET特性为逻辑电平门，4.5V驱动，电流连续漏极Id 25°C为95A（Tc），Rds On Max Id Vgs为4 mOhm@25A，10V，Vgs th Max Id为2.2V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为19.4nC@10V，Pd功耗为64W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，并且下降时间为11.7ns，上升时间为21.2ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为95A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs第栅-源极阈值电压为1.74V，Rds漏极源极电阻为4mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为14.9ns，典型开启延迟时间为10.7ns，Qg栅极电荷为9.1nC，信道模式为增强。
PSMN4R2-30MLDX是MOSFET 30V N沟道2.4mOhm，包括2.2 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在2.2 V Vg栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供典型的开启延迟时间功能，如10.1 ns，典型的关闭延迟时间设计为12 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为18.5ns，器件的漏极-源极电阻为5.7mOhms，Qg栅极电荷为29.3nC，Pd功耗为65W，封装为卷轴式，封装外壳为LFPAK-4，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏极电流为70A，下降时间为8.7ns，信道模式为增强。
PSMN4R2-60PLQ是MOSFET N沟道MOSFET，包括72纳秒的下降时间，它们设计用于130 a Id的连续漏极电流，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供通道数功能，如1个通道，封装盒设计用于to-220-3，以及管封装，该器件也可以用作263W Pd功率耗散。此外，Qg栅极电荷为151 nC，器件的漏极-源极电阻为8.6 mOhms Rds，器件的上升时间为97 ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道。典型关断延迟时间为84 ns，典型开启延迟时间为47 ns，单位重量为0.211644盎司，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.45V。
PSMN4R0-40YS，带有NXP制造的EDA/CAD模型。PSMN4R0-40YS在SOP包中提供，是FET的一部分-单个。
