9icnet为您提供NXP USA Inc.设计生产的PSMN8R5-100XSQ，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。PSMN8R5-100XSQ参考价格为0.76000美元。NXP美国股份有限公司PSMN8R5-100XSQ封装/规格：MOSFET N-CH 100V 49A TO220F。您可以下载PSMN8R5-100XSQ英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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PSMN8R5-100PSQ是MOSFET N-CH 100V 100A TO-220，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及263 W Pd功耗，该器件也可以用作43 ns下降时间。此外，上升时间为35ns，器件以100A Id连续漏电流提供，器件具有100V的Vds漏极-源极击穿电压，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为22.6m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为87ns，典型接通延迟时间为20ns，Qg栅极电荷为111nC。
PSMN8R5-100ESQ是MOSFET PSMN8R5-100ES/I2PAK/STANDARD M，包括4 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.084199盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如20 ns，典型的关闭延迟时间设计为87 ns，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为35ns，器件的漏极-源极电阻为22.6 mOhms Rds，器件具有111nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为263W，封装为管，封装外壳为I2PAK-3，安装方式为通孔，Id连续漏极电流为100A，下降时间为43ns。
PSMN8R5-100ES127，带有NXP制造的电路图。是IC芯片的一部分。
PSMN8R5-100XS是NXP制造的MOSFET N-CH 100V 49A TO-220F。PSMN8R5-100XS提供TO-220-3全封装、隔离接线片封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 100V 49A TO-220F。
