9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPD079N06L3GATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPD079N06L3GATMA1参考价格$14.45。Infineon Technologies IPD079N06L3GATMA1封装/规格：MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3。您可以下载IPD079N06L3GATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPD079N06L3 G是MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名显示在IPD079NO6L3GBTMA1 IPD079NO 6L3GXT SP000453626中使用的数据表注释中，该产品提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为79 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7 ns，上升时间为26 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为50A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为7.9mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为37ns，典型接通延迟时间为15ns，沟道模式为增强。
IPD075N03LGATMA1是MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为IPD075N03，器件的上升时间为3.6 ns，器件的漏极-源极电阻为6.3 mOhms，Qg栅极电荷为18 nC，Pd功耗为47 W，部件别名为G IPD075NO3L IPD075NO 3LGXT SP000680634，封装为卷轴式，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏极电流为50 A，正向跨导最小值为61 S，下降时间为2.8 ns，配置为单一。
IPD075N03LG，带有INF制造的电路图。IPD075NO3LG以SOT252封装形式提供，是FET的一部分-单个。
IPD079N06L3带有INF/EDA/CAD模型。IPD079NO6L3采用TO-252封装，是FET的一部分-单个。
