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IPD08N06N3 G是MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3，包括OptiMOS？系列，它们被设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起使用，数据表注释中显示了用于IPD088N06N3GBTMA1 IPD0088N06N3GXT SP000453620的零件别名，该设备提供单位重量功能，例如0.139322盎司，商品名设计用于OptiMOS，以及to-252-3、DPak（2引线+标签）、SC-63包装盒，它的工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为PG-TO252-3，配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为71W，晶体管类型为1个N通道，漏极到源极电压Vdss为60V，输入电容Ciss Vds为3900pF@30V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为50A（Tc），最大Id Vgs的Rds为8.8 mOhm@50A，10V，Vgs的最大Id为4V@34μA，栅极电荷Qg Vgs为48nC@10V，Pd功耗为71 W，其最大工作温度范围为+175 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为5 ns，上升时间为40 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为50 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds漏极源极电阻为8.8 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20 ns，典型开启延迟时间为15ns，信道模式为增强。
IPD088N04LG是由INF制造的MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3。IPD088R04LG有TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH40V 50A-TO252-3。
IPD08N06N，带有INFINEON制造的电路图。IPD08N06N采用TO-252封装，是FET的一部分-单个。
