9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPD48N06L3GATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPD08N06L3GATMA1参考价格为2.768美元。Infineon Technologies IPD08N06L3GATMA1封装/规格：MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3。您可以下载IPD08N06L3GATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPD042P03L3 G是MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3，包括OptiMOS？系列，它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起使用，数据表注释中显示了用于IPD0042P03L3GBTMA1 IPD042P03L3GXT SP000473922的零件别名，该设备提供单位重量功能，例如0.139332盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该设备也可以用作to-252-3、DPak（2引线+标签）、，SC-63包装箱。此外，该技术为Si，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为1通道，供应商器件封装为PG-TO252-3，配置为单通道，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为150W，晶体管类型为1 P通道，漏极-源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为12400pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为70A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为4.2mOhm@70A，10V，Vgs最大Id为1V@270μA，栅极电荷Qg-Vgs为175nC@10V，Pd功耗为150W，它的最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为167 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为70 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Rds漏极源极电阻为4.2 mΩ，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为89ns，典型接通延迟时间为21ns，信道模式为增强。
IPD08N06L3 G是MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS 3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如11 ns，典型的关闭延迟时间设计为56 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为OptiMOS，该器件采用Si技术提供，该器件具有OptiMOS 3系列，上升时间为5 ns，漏极-源极电阻Rds为4.8 mOhms，Qg栅极电荷为50 nC，Pd功耗为115 W，部件别名为IPD08N06L3GBTMA1 IPD08NO6L3GXT SP000453334，包装为卷筒，包装箱为TO-252-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为90 A，正向跨导最小值为125 S，下降时间为12 ns，配置为单信道，信道模式为增强型。
IPD042P03L3GBTMA1是MOSFET P-Ch-30V 70A DPAK-2 OptiMOS P3，包括1个通道数量的通道，它们设计用于to-252-3封装盒。数据表说明中显示了用于卷筒的封装，该卷筒提供了部件别名功能，如G IPD042P02L3 IPD442P03L3GXT SP000473922，系列设计用于XPD042P03，以及Si技术，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，晶体管类型为1 P沟道。
IPD0042P03L3GATMA1，带EDA/CAD型号，包括TO-252-3封装盒，它们设计为使用硅技术操作。数据表注释中显示了用于卷盘的封装，该卷盘提供晶体管极性特性，如P沟道，零件别名设计为在G IPD042P03L3 SP001127836以及1 P沟道晶体管类型中工作，该设备也可以用作1信道数信道。
