9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IGT60R190D1SATMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IGT60R190D1SATMA1参考价格为3.282美元。Infineon Technologies IGT60R190D1SATMA1封装/规格：GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF。您可以下载IGT60R190D1SATMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IGP40N65H5XKSA1带有引脚细节，包括TrenchStopR系列，它们设计用于管式包装，数据表注释中显示了用于IGP40N55H5 SP001001738的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及to-247-3包装盒，该设备也可以用作标准输入类型。此外，安装类型为通孔，该设备在PG-TO247-3供应商设备包中提供，该设备的最大功率为255W，集电器Ic最大值为74A，集电器-发射器击穿最大值为650V，集电器脉冲Icm为120A，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，40A，开关能量为390μJ（开），120μJ（关），栅极电荷为95nC，25°C时的Td为22ns/165ns，测试条件为400V、20A、15 Ohm、15V，Pd功耗为250 W，集电极-发射极电压VCEO最大值为650 V，集电极/发射极饱和电压为1.65 V，25 C时的连续集电极电流为74 A，连续集电极电压Ic最大值为74 A。
IGP50N60TXKSA1是IGBT 600V 100A 333W TO220-3，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2V@15V、50A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，用于400V、50A、7 Ohm、15V，提供25°C的Td通断特性，如26ns/299ns，开关能量设计为2.6mJ，以及PG-TO220-3供应商设备包，该设备也可以用作TrenchStopR系列。此外，功率最大值为333W，该器件采用IGP50N60T IGP50S60TXK SP000683046零件别名，该器件具有一个封装管，封装外壳为TO-220-3，安装类型为通孔，输入类型为标准，IGBT类型为沟槽场阻，栅极电荷为310nC，集电器脉冲Icm为150A，集电器Ic最大值为100A。
IGP50N60T是IGBT 600V 100A 333W TO220-3，包括600 V集电极-发射极电压VCEO Max，它们设计为在单配置下运行，连续集电极电流Ic Max如数据表注释所示，用于100 a，提供最大栅极-发射极电流功能，如+/-20 V，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-40℃，该设备也可以用作通孔安装型。此外，包装箱为TO-220-3，装置采用管式包装，装置具有零件别名IGP50N60TXK IGP50S60TXKSA1 SP000683046，系列为IGP50N50，单位重量为0.211644盎司。
IGP64采用NVIDIA制造的EDA/CAD模型。IGP64采用BGA封装，是IC芯片的一部分。
