9icnet为您提供由onsemi设计和生产的SFT1450-H,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SFT1450-H参考价格为0.33000美元。onsemi SFT1450-H封装/规格:MOSFET N-CH 40V 21A TP。您可以下载SFT1450-H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SFT1445-TL-H是MOSFET NCH 4V DRIVE系列,包括SFT1445系列,它们设计用于卷筒包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.13932盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,封装盒设计用于to-252-3,以及Si技术,该设备也可以用作1信道数信道。此外,该配置为单双漏极,该器件为1 N沟道晶体管类型,该器件具有35 W的Pd功耗,其最大工作温度范围为+150 C,其最小工作温度范围是-55 C,下降时间为60 ns,上升时间为35 ns,Vgs栅源电压为20 V,Id连续漏极电流为17A,Vds漏极-源极击穿电压为100V,Rds导通漏极-漏极电阻为85mOhms,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为60ns,典型接通延迟时间为10ns,Qg栅极电荷为19nC。
SFT1446-H是MOSFET NCH 4V DRIVE系列,包括20 V Vgs栅极-源极电压,它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表注释中显示了用于1 N沟道的晶体管类型,提供晶体管极性特性,如N沟道,技术设计用于Si,以及SFT1446系列,该器件也可以用作51毫欧Rds漏极-源极电阻。此外,Pd功耗为23 W,设备采用卷筒包装,设备具有TP-3封装盒,通道数为1通道,安装方式为通孔,最低工作温度范围为-55 C,最高工作温度范围+150 C,Id连续漏电流为20 a,配置为单一。
SFT1446-TL-H是MOSFET N-CH 60V 20A TP-FA,包括单一配置,它们设计为在20 a Id连续漏电流下工作,其最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,安装类型设计为在SMD/SMT中工作,以及1通道数的通道,该装置也可用作TP-3包装箱。此外,包装为卷轴式,该器件提供23 W Pd功耗,该器件具有51 mOhms的Rds漏极-源极电阻,系列为SFT1446,技术为Si,晶体管极性为N沟道,晶体管类型为1 N沟道、Vds漏极/源极击穿电压为60 V,Vgs栅极-源极电压为20 V。