9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPI03N03LA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPI03N03LA参考价格为2.154美元。Infineon Technologies IPI03N03LA封装/规格：MOSFET N-CH 25V 80A TO262-3。您可以下载IPI03N03LA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IPI034NE7N3 G是MOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于IPI034NE 7N3GAKSA1 SP000641734的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.084199盎司，安装样式设计用于通孔，该装置也可以用作I2PAK-3封装盒。此外，该技术为Si，该器件提供1信道数信道，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为214 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为85 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为100A，Vds漏极-源极击穿电压为75V，Rds漏极源极导通电阻为3.4mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40nS，Qg栅极电荷为88nC。
IPI037N08N3GXKSA1是MOSFET N-Ch 80V 100A I2PAK-3，包括80V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.073511盎司单位重量下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性功能，如N沟道、商品名设计用于OptiMOS以及Si技术，该设备也可以用作IPI037N08系列。此外，Rds漏极源极电阻为3.5 mOhms，该器件采用G IPI037N08N3 IPI037 N08N3GXK SP000680654零件别名，该器件具有一个封装管，封装外壳为TO-262-3，通道数为1通道，Id连续漏极电流为100 a。
IPI034NE7N，带有INFINEON制造的电路图。IPI034NE7N采用TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3。
IPI037N06L3G是INFINEON制造的MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3。IPI037N06L3G提供TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3。
