9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPI09N03LA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPI09N03LA价格参考1.288美元。Infineon Technologies IPI09N03LA封装/规格：MOSFET N-CH 25V 50A TO262-3。您可以下载IPI09N03LA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IPI086N10N3 G是MOSFET N-Ch 100V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于IPI086 N10N3GXK IPI080N3GXKSA1 SP000683070的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.073511盎司，商品名设计用于OptiMOS，以及to-262-3包装箱，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为125 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为42 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为80A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-电源电阻为8.2mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为31ns，典型接通延迟时间为18ns，沟道模式为增强。
带用户指南的IPI084N06L3GXKSA1，包括60 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.073511盎司单位重量下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N通道，提供晶体管极性特性，如N通道，商品名设计用于OptiMOS，以及Si技术，该设备也可以用作IPI084N06系列。此外，Rds漏极源极电阻为8.1 mOhms，该器件以G IPI084N06L3 SP001065242零件别名提供，该器件具有封装管，封装外壳为TO-262-3，通道数为1通道，Id连续漏极电流为50 a。
带电路图的IPI084N06L3 G，包括1个通道数量的通道，它们设计用于管封装，数据表注释中显示了用于IPI084 N06L3GXKSA1 SP001065242的零件别名，该产品提供XPI084N66等系列功能，技术设计用于Si，以及N通道晶体管极性，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。
IPI086N10N3G是INFINEON制造的MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3。IPI086N10N3G提供TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3。
