9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STB6N62K3,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。STB6N62K3参考价格为0.792美元。STMicroelectronics STB6N62K3封装/规格:MOSFET N-CH 620V 5.5A D2PAK。您可以下载STB6N62K3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如STB6N62K3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
STB6N60M2是MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2,包括MDmesh M2系列,它们设计用于卷筒包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.13932盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,封装盒设计用于to-252-3,以及Si技术,该设备也可以用作1信道数信道。此外,该配置为单一配置,该器件为1 N沟道晶体管类型,该器件具有60W的Pd功耗,其最大工作温度范围为+150 C,其最小工作温度范围是-55 C,下降时间为22.5 ns,上升时间为7.4 ns,Vgs栅极-源极电压为25 V,Id连续漏极电流为4.5 a,Vds漏极-源极击穿电压为600V,Vgs栅极-源极阈值电压为3V,Rds导通漏极-漏极电阻为1.06欧姆,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为24ns,典型接通延迟时间为9.5ns,Qg栅极电荷为8nC。
STB65E5是EIC制造的二极管TVS单Bi-Dir 300V 600W 2引脚SMB。STB65E5采用SMB封装,是IC芯片的一部分,支持二极管TVS单Bi-Dir 300V 600W 2引脚SMB。
STB65G0是EIC制造的二极管TVS单Bi-Dir 342V 600W 2引脚SMB。STB65G0采用SMB封装,是IC芯片的一部分,支持二极管TVS单Bi-Dir 342V 600W 2引脚SMB。
STB65G4是EIC制造的二极管TVS单Bi-Dir 376V 600W 2引脚SMB。STB65G4采用SMB封装,是IC芯片的一部分,支持二极管TVS单Bi-Dir 376V 600W 2引脚SMB。