CPH3356-TL-H

规格参数

• 制造厂商 安盛美 (onsemi)
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 场效应管特性 -
• 安装类别 表面安装
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
• 场效应管类型 P-通道
• 漏源电压标 (Vdss) 20伏
• 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
• 最大功耗 1W（Ta）
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±10V
• 工作温度 150摄氏度（TJ）
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.8伏、4.5伏
• 漏源电流 (Id) @ 温度 2.5A（Ta）
• 部件状态 过时的
• 供应商设备包装 3英里/小时
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 250 pF@10 V
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 3.3 nC @ 4.5 V
• 导通电阻 Rds(ON) 137毫欧姆@1A，4.5V