9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPI11N03LA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPI11N03LA价格参考2.842美元。Infineon Technologies IPI11N03LA封装/规格：MOSFET N-CH 25V 30A TO262-3。您可以下载IPI11N03LA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IPI100N10S3-05是MOSFET N-Ch 100V 100A I2PAK-3 OptiMOS-T，包括OptiMOS--T系列，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于IPI100N1 0S305AKSA1 IPI100N 0S305XK SP000407128的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.073511盎司，安装样式设计用于通孔，该装置也可用作TO-262-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为300 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为17 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为100A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.8mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为60ns，典型接通延迟时间为34ns，沟道模式为增强。
IPI110N20N3 G是MOSFET N-Ch 200V 88A I2PAK-3 OptiMOS 3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于200 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.084199盎司，提供典型的关断延迟时间功能，如41 nS，晶体管类型设计用于1 N沟道，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作OptiMOS商标。此外，该技术为Si，该器件为OptiMOS 3系列，该器件具有26 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为10.7 mOhms，Qg栅极电荷为65 nC，Pd功耗为300 W，部件别名为IPI110N20N3GAKSA1 IPI110N2 0N3GKK SP000714304，封装为管，封装外壳为I2PAK-3，信道数为1信道，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为88 A，下降时间为11 ns，配置为单一。
带有电路图的IPI111N15N3GAKSA1，包括83 A Id连续漏极电流，它们设计为在1通道数的通道下工作，数据表说明中显示了to-262-3中使用的封装情况，该封装提供了管等封装功能，零件别名设计用于G IPI111N1 5N3 SP000680322，以及10.8 mOhms Rds漏极源极电阻，该设备也可以用作IPI111N15系列。此外，该技术为Si，该器件以OptiMOS商品名提供，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.073511盎司，Vds漏极-源极击穿电压为150 V。
IPI110N20N3G是Infineon制造的MOSFET N-CH 200V 88A TO262-3。IPI110N20N3G可用于TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 200V 88A TO262-3。
