9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPI14N03LA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPI14N03LA参考价格为13.062美元。Infineon Technologies IPI14N03LA封装/规格：MOSFET N-CH 25V 30A TO262-3。您可以下载IPI14N03LA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IPI14N03LA价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IPI147N12N3 G是MOSFET N-Ch 120V 56A I2PAK-3 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPI147N1 2N3GAKSA1 IPI147N 2N3GXK SP000652744，其提供单位重量功能，如0.084199盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可以用作I2PAK-3封装盒。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为107 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为4 ns，上升时间为9 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为56A，Vds漏极-源极击穿电压为120V，Rds漏极源极导通电阻为14.7mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为24nS，Qg栅极电荷为37nC。
IPI126N10N3 G是MOSFET N-Ch 100V 58A I2PAK-3 OptiMOS 3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.073511盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如14 ns，典型的关闭延迟时间设计为24 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为OptiMOS，该器件采用Si技术，该器件具有OptiMOS 3系列，上升时间为8 ns，漏极电阻Rds为12.3 mOhms，Pd功耗为94 W，部件别名为IPI126N10N3GXKSA1 SP000683072，封装为管，封装外壳为TO-262-3，通道数为1通道，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为58 A，下降时间为5 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPI12CN10NG是INFINEON制造的MOSFET N-CH 100V 67A TO262-3。IPI12CN10NG可用于TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 100V 67A TO262-3。
IPI139N08N3G是INFINEON制造的MOSFET N-CH 80V 45A TO262-3。IPI139N08N3G可用于TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 80V 45A TO262-3。
