9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPI45N06S3-16，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPI45N06S3-16参考价格为13.69美元。Infineon Technologies IPI45N06S3-16封装/规格：MOSFET N-CH 55V 45A TO262-3。您可以下载IPI45N06S3-16英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPI22N03S4L-15是MOSFET N-Ch 30V 22A I2PAK-3 OptiMOS-T2，包括OptiMOS-T2系列，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于IPI22N03 S4L15AKSA1 IPI22N04 S4L15XK SP000277016的零件别名，其提供单位重量功能，如0.084199盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可以用作I2PAK-3封装盒。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为31 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为2 ns，上升时间为2纳秒，Vgs栅极-源极电压为16V，Id连续漏极电流为22A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为14.9mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12ns，典型接通延迟时间为3ns，沟道模式为增强。
IPI320N20N3 G是MOSFET N-Ch 200V 34A I2PAK-3 OptiMOS 3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于200 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.084199盎司，提供典型的关断延迟时间功能，如21 nS，晶体管类型设计用于1 N沟道，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作OptiMOS商标。此外，该技术为Si，该器件为OptiMOS 3系列，该器件具有9 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为32 mOhms，Qg栅极电荷为22 nC，Pd功耗为136 W，部件别名为IPI320N20N3GAKSA1 IPI320N2 0N3GKK SP000714312，封装为管，封装外壳为I2PAK-3，信道数为1信道，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为34 A，下降时间为4 ns，配置为单一。
IPI25N06S3L-22是MOSFET N-Ch 55V 25A I2PAK-3，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了43 ns的下降时间，提供了连续漏电流特性，如25 a，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用I2PAK-3封装盒，该器件具有一个封装管，部件别名为IPI25N06S3L22XK，Pd功耗为50W，Rds漏极-源极电阻为21.6mOhm，上升时间为26ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为9ns，单位重量为0.084199oz，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Vgs栅极-源极电压为16V。
IPI26CN10NG是由INF制造的MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3。IPI26CN1 0NG可提供TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH100V 35A-TO262-3。
