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IPI60R385CP是MOSFET N-Ch 650V 9A I2PAK-3 CoolMOS CP，包括CoolMOS系列CP，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPI60R185CPXK IPI60R285CPXKSA1 SP000103250，提供单位重量功能，如0.084199盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可以用作I2PAK-3封装盒。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为83 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为5纳秒，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为9A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Rds导通漏极-漏极电阻为385mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
IPI60R280C6是MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262，包括20 V Vgs栅极-源极电压，设计用于650 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.084199盎司，提供典型的关断延迟时间特性，如100 nS，晶体管类型设计用于1 N沟道，以及N沟道晶体管极性，该设备也可以用作CoolMOS商标。此外，该技术为Si，该器件采用CoolMOS C6系列，该器件具有11 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为280 mOhms，Qg栅极电荷为43 nC，Pd功耗为104 W，部件别名为IPI60R280C6XK IPI60R180C6XKSA1 SP000687554，封装为管，封装外壳为I2PAK-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为13.8 A，下降时间为12 ns，配置为单一。
IPI60R380C6是MOSFET N-CH 600V 10.6A TO262，包括单一配置，其设计工作时间为9 ns，连续漏电流如数据表注释所示，用于10.6 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，以及通孔安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为I2PAK-3，器件采用管封装，器件具有IPI60R380C6XK IPI60R180C6XKSA1 SP000660630部件别名，Pd功耗为83 W，Qg栅极电荷为32 nC，Rds漏极源极电阻为380 mOhms，上升时间为10 ns，系列为CoolMOS C6，技术为Si，商品名为CoolOS，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为110nS，单位重量为0.084199oz，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IPI60R299CP是INFINEON制造的MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK。IPI60R299CP以TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK。
