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IPS075N03L G是MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3-11，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPS075N01LGAKMA1 IPS075N02LGXK SP000705726，提供单位重量功能，如0.139332盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可以用作IPAK-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1通道数的通道，该器件具有单通道配置，晶体管类型为1 N通道，Pd功耗为47 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为2.8 ns，上升时间为3.6 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为50A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为7.5mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为17ns，典型接通延迟时间为4.3ns，沟道模式为增强。
IPS090N03L G是MOSFET N-Ch 30V 40A IPAK-3 OptiMOS 3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如4 ns，典型的关闭延迟时间设计为15 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为OptiMOS，该器件采用Si技术，该器件具有OptiMOS 3系列，上升时间为14 ns，漏极电阻Rds为9 mOhms，Pd功耗为42 W，零件别名为IPS090N03LGAKMA1 IPS090N03LGXK SP000788216，包装为管，包装箱为IPAK-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为40 A，下降时间为3 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPS075N03LG是INFINEON制造的MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3-11。IPS075N03LG提供TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3-11。
