特色
- 1.7安培，60伏
- RDS（开）=0.100Ω@VGS=10 V
- RDS（开）=0.120Ω@VGS=6 V
- 优化用于高频DC/DC转换器。
- 低栅极电荷。
- 切换速度非常快。
- 超级SOT™ - 3在SOT23封装中提供低rDS（ON）
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
- DC/DC转换器
- 电机驱动器
FDN5630-G
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A（Ta） 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥161.67601
-
数量:
- +
- 总计: ¥161.68
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 6V, 10V
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 1.7A（Ta）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10 nC@10 V
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备包装 SOT-23-3
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
- 最大功耗 500mW (Ta)
- 部件状态 过时的
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 560 pF @ 15 V
- 导通电阻 Rds(ON) 100毫欧姆@1.7A，10V
FDN5630-G 产品详情
该N沟道MOSFET专门设计用于使用同步或常规开关PWM控制器来提高DC/DC转换器的整体效率。该MOSFET具有非常低的RDS（ON），SOT23占地面积小。Fairchild的PowerTrench技术提供了比具有类似RDS（ON）规格的其他MOSFET更快的开关。其结果是以更少的板空间获得更高的整体效率。
FDN5630-G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| FDN-010 | 化学电子 (Chemtronics) | S/S .010" NEEDLE, 10/PK | ¥1,616.99191 |
| FDN-020 | 化学电子 (Chemtronics) | S/S .020" NEEDLE, 10/PK | ¥1,932.89824 |
| FDN360P(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.4171 |
| FDN337N(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.33541 |
| FDN308P(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.54865 |
| FDN339AN(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.54865 |
| FDN327N(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.43435 |
| FDN358P(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.4846 |
| FDN302P(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.44111 |
| FDN336P(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.43435 |
FDN5630-G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDN5630-G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDN5630-G价格参考￥161.676014，你可以下载 FDN5630-G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDN5630-G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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