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FDP039N08B_F102带有引脚细节，包括卡套管封装，设计用于0.063493 oz单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可作为单配置使用。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供214 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为29 ns，上升时间为49 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为171 A，Vds漏极-源极击穿电压为80V，Vgs栅极-源极阈值电压为4.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.9mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为71ns，典型接通延迟时间为36ns，Qg栅极电荷为102nC，正向跨导最小值为180S，沟道模式为增强。
FDP040N06是FSC制造的MOSFET N-CH 60V 120A TO220。FDP040N06在TO-220-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 60V 120A TO220、N沟道60V 120B（Tc）231W（Tc）通孔TO-220AB。
FDP045N10A是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 100V 120A TO-220-3。FDP045N10A在TO-220-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 100V 120A TO-220-3，N沟道100V 120V（Tc）263W（Tc）通孔TO-220-3。
