9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPP054NE8NGHKSA2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPP054NE8NGHKSA2参考价格$4.396。英飞凌科技IPP054NE8NGHKSA2封装/规格：MOSFET N-CH 85V 100A TO220-3。您可以下载IPP054NE8NGHKSA2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IPP054NE8NGHKSA2价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IPP052NE7N3 G是MOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPP052NE 7N3GXK IPP052NE7N3GXKSA1 SP000641726，提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1通道数的通道，该器件具有1个晶体管型N通道，Pd功耗为150 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为11 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为80A，Vds漏极-源极击穿电压为75V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.1V，Rds导通漏极-漏极电阻为5.2mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为14ns，Qg栅极电荷为51nC，前向跨导Min为103 S 52 S。
IPP052NE7N3G，带有INFINEON制造的用户指南。IPP052NE7N3G采用TO-220封装，是FET的一部分-单个。
IPP054NE8N G是INFINEON制造的MOSFET N-CH 85V 100A TO-220。IPP054NE8N G采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 85V 100A TO-220。
