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IPP65N04N G是MOSFET N-CH 40V 50A TO220-3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于管式封装，零件别名显示在IPP65NO4NGXKSA1 SP000648268中使用的数据表注释中，该产品提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道数信道，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为68 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3.6 ns，上升时间为2.8 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为50A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds漏极源极导通电阻为6.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为17nS，Qg栅极电荷为26nC。
IPP65N04N和用户指南IPP1065N04N以TO-220-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 40V 50A TO220-3。
IPP65N04NG是INFINEON制造的MOSFET N-CH 40V 50A TO220-3。IPP65N04NG采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 40V 50A TO220-3。
IPP65N06LG是由INF制造的MOSFET N-CH 60V 80A TO-220。IPP1065N06LG采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH60V 80A-TO-220。
