新一代30V Pch MOSFET的设计旨在最大限度地降低稳态电阻（RDS（ON）），同时保持优异的开关性能和ESD保护栅极，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
DMP3056LVT-7
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.3A (Ta) 最大功耗: 1.38瓦 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 场效应管类型 P-通道
- 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 4.3A (Ta)
- 安装类别 -
- 供应商设备包装 -
- 包装/外壳 -
- 导通电阻 Rds(ON) 50毫欧姆 @ 6A, 10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.1V@250A.
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 11.8 nC@10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 642 pF @ 25 V
- 最大功耗 1.38瓦
DMP3056LVT-7 产品详情
DMP3056LVT-7 相关器件
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DMP3056LVT-7所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，DMP3056LVT-7 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DMP3056LVT-7价格参考￥85.524163，你可以下载 DMP3056LVT-7中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DMP3056LVT-7规格参数、现货库存、封装信息等信息！
达尔科技 (Diodes rporated)
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