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IPD80R1K4CEBTMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.9A (Tc) 最大功耗: 63W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3-11 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥18.16519
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥18.17
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 漏源电压标 (Vdss) 800 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 23 nC@10 V
  • 最大功耗 63W (Tc)
  • 供应商设备包装 PG-TO252-3-11
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 3.9A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.4欧姆@2.3A,10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.9V @ 240A
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 570 pF @ 100 V
  • 部件状态 Digi-Key停产
  • 样式 -
  • 色彩/颜色 Yellow

IPD80R1K4CEBTMA1 产品详情

800V CoolMOS™ CE是英飞凌提供800伏击穿电压的高性能设备系列。CE的目标是消费电子应用以及照明。新的800V选择系列专门针对LED应用。使用此特定的CoolMOS™ 英飞凌将作为领先的超级结MOSFET供应商的长期经验与一流的创新相结合。

特色

  • 低比导通电阻(R DS(开)*A)
  • 400V时输出电容(E oss)的储能非常低
  • 低栅极电荷(Q g)
  • 经现场验证的CoolMOS™ 质量
  • 正向电阻™ 自1998年以来,该技术一直由英飞凌制造
  • 高效率和功率密度
  • 出色的性价比
  • 高可靠性
  • 易于使用

应用

  • LED照明
IPD80R1K4CEBTMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPD80R1K4CEBTMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPD80R1K4CEBTMA1价格参考¥18.165193,你可以下载 IPD80R1K4CEBTMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPD80R1K4CEBTMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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