这些器件是使用第二代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET。这种革命性的功率MOSFET将垂直结构与公司的带状布局相结合,从而产生了世界上电阻和栅极电荷最低的器件之一。因此,它适用于要求最高的高效率转换器。
特色
- 100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
起订量: 1
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这些器件是使用第二代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET。这种革命性的功率MOSFET将垂直结构与公司的带状布局相结合,从而产生了世界上电阻和栅极电荷最低的器件之一。因此,它适用于要求最高的高效率转换器。
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