9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPP60R330P6XKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPP60R330P6XKSA1参考价格为1.878美元。Infineon Technologies IPP60R330P6XKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3。您可以下载IPP60R330P6XKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPP60R299CP是MOSFET N-CH 650V 11A TO-220，包括CoolMOS CP系列，它们设计用于管式封装，零件别名显示在IPP60R199CPXK IPP60R2 99CPXKSA1 SP000084280中使用的数据表注释中，该产品提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为96 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为5纳秒，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为11A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Rds导通漏极-漏极电阻为299mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
IPP60R280P6是MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220，包括600 V Vds漏极-源极击穿电压，其设计工作单位重量为0.211644 oz。数据表中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于Si，以及XPP60R280系列，该器件也可以用作280欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，零件别名为IPP60R280P6XKSA1 SP001017062，该设备采用管式封装，该设备具有TO-220-3封装盒，通道数为1通道，安装方式为通孔，Id连续漏电流为100 a。
带电路图的IPP60R280P6XKSA1，包括1个通道数的通道，它们设计为与to-220-3封装盒一起工作。数据表注释中显示了用于管的封装，该管提供部件别名功能，如IPP60R180P6 SP001017062，技术设计为在Si中工作，以及CoolMOS商标，该器件也可以用作N通道晶体管极性。此外，晶体管类型为1 N沟道。
