9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFH4226TRBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFH4226TRPBF价格参考1.946美元。Infineon Technologies IRFH4226TRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 25V 30A/70A 8PFN。您可以下载IRFH4226TRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFH4213DTRPBF是MOSFET 25V单N-Ch HEXFET PWR 50A，包括卷轴封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，商品名显示在FastIRFet的数据表注释中，FastIRFet提供封装盒功能，如PQFN-8，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供3.6 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为30 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为40 A，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.6V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.5mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为18ns，典型接通延迟时间为14ns，Qg栅极电荷为55nC，正向跨导Min为340S。
IRFH4210TRPBF是MOSFET 25V单N-Ch HEXFET PWR 50A，包括1.6V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于25V，提供典型的开启延迟时间功能，如20ns，典型的关闭延迟时间设计为24ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为44ns，器件的漏极-源极电阻为1.1mOhms，Qg栅极电荷为74nC，Pd功耗为3.6W，封装为卷轴式，封装盒为PQFN-8，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为45 A，正向跨导最小值为251 S，下降时间为15 ns，配置为单一。
IRFH4213TRPBF是MOSFET 25V单N-Ch HEXFET PWR 50A，包括单一配置，它们设计为在12 ns下降时间下工作，数据表注释中显示了用于228 S的正向跨导最小值，提供Id连续漏极电流功能，例如41 a，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃，该器件也可以用作SMD/SMT安装型。此外，信道数为1信道，该器件在PQFN-8封装盒中提供，该器件具有一卷封装，Pd功耗为3.6W，Qg栅极电荷为54nC，Rds漏极-源极电阻为1.5mOhm，上升时间为35ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为17ns，典型接通延迟时间为14ns，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgs栅-源极阈值电压为1.6V。
