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IPI80P04P4L-04是MOSFET P-Ch-40V-80A I2PAK-3 OptiMOS-P2，包括OptiMOS-P2系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPI80PO4P4L04AKSA1 IPI80Po4P4L04XK SP000840198，其提供单位重量功能，如0.073511盎司，商品名设计用于OptiMOS，以及to-262-3包装箱，该器件也可以用作Si技术。此外，通道数为1通道，该器件为1 P通道晶体管类型，该器件具有-80 a的Id连续漏极电流，Vds漏极-源极击穿电压为-40 V，Rds漏极源极电阻为4.4 mOhm，晶体管极性为P通道。
IPI80P04P4L-06是MOSFET P-Ch-40V-80A I2PAK-3 OptiMOS-P2，包括-40 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.073511盎司的单位重量运行，数据表中显示了用于1个P通道的晶体管类型，该通道提供晶体管极性特性，如P通道，该设备也可以用作OptiMOS-P2系列。此外，Rds漏极源极电阻为6.4 mOhms，该器件采用IPI80P04P4L06AKSA1 IPI80PO4P4L06XK SP000842050零件别名，该器件具有一个封装管，封装外壳为TO-262-3，通道数为1通道，Id连续漏极电流为-80 a。
IPI80P04P4-07是MOSFET P-Ch-40V-80A I2PAK-3 OptiMOS-P2，包括-80 A Id连续漏极电流，它们设计为以1通道数量的通道运行，数据表说明中显示了用于to-262-3的封装情况，该to-262-3提供了管等封装功能，零件别名设计用于IPI80PO4P407AKSA1 IPI80Po4P407XK SP000842042，该器件还可以用作OptiMOS-P2系列。此外，该技术为Si，该器件以OptiMOS商品名提供，该器件具有晶体管极性的P沟道，晶体管类型为1个P沟道、单位重量为2084 g，Vds漏极-源极击穿电压为-40 V。
IPI80P04P4L-04（04P04L04），带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。IPI80P04P4L-04（04P04L04）在TO-262封装中提供，是IC芯片的一部分。
