这种低阈值增强模式（常关）晶体管利用了垂直DMOS结构和经验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生了具有双极晶体管的功率处理能力和MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。作为所有MOS结构的特点，该器件没有热失控和热诱导的二次击穿。垂直DMOS FET非常适合于广泛的开关和放大应用，其中需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
特色
- 低阈值
- 高输入阻抗
- 低输入电容
- 快速切换速度
- 无二次击穿
- 低输入和输出泄漏
TP2424N8-G
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 240伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 316毫安 (Tj) 最大功耗: 1.6W（Ta） 供应商设备包装: TO-243AA (SOT-89) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 微芯 (Microchip)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥14.28300
-
数量:
- +
- 总计: ¥14.28
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规格参数
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 制造厂商 微芯 (Microchip)
- 场效应管类型 P-通道
- 漏源电压标 (Vdss) 240伏
- 包装/外壳 至243AA
- 最大功耗 1.6W（Ta）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.4V@1毫安
- 部件状态 过时的
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 200 pF @ 25 V
- 供应商设备包装 TO-243AA (SOT-89)
- 导通电阻 Rds(ON) 8欧姆 @ 500毫安, 10V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 316毫安 (Tj)
- 样式 -
TP2424N8-G 产品详情
TP2424N8-G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | TP224012-1 | DB无限 (DB Unlimited) | 额定电压: 12伏 频率: 4千赫兹 大小/尺寸: 0.870“直径（22.10毫米） 声压等级(SPL): 90分贝 @ 12V, 10厘米 技术: Piezo | ¥11.25562 |
 | TP233412-1 | DB无限 (DB Unlimited) | 额定电压: 12伏 频率: 3.4千赫兹 大小/尺寸: 0.925“直径（23.50毫米） 声压等级(SPL): 95分贝@12V，10厘米 技术: Piezo | ¥16.48071 |
 | TP222009-1 | DB无限 (DB Unlimited) | 额定电压: 9 V 频率: 2千赫兹 大小/尺寸: 0.866英寸长x 0.276英寸宽（22.00毫米x 7.00毫米） 声压等级(SPL): 85分贝 @ 9V, 10厘米 技术: Piezo | ¥4.23531 |
 | TP262003-1 | DB无限 (DB Unlimited) | 额定电压: 3伏 频率: 2千赫兹 大小/尺寸: 0.866英寸长x 0.276英寸宽（22.00毫米x 7.00毫米） 声压等级(SPL): 70分贝 @ 3V, 10厘米 技术: Piezo | ¥4.43499 |
 | TP224009-1 | DB无限 (DB Unlimited) | 额定电压: 9 V 频率: 4千赫兹 大小/尺寸: 0.866“直径（22.00毫米） 声压等级(SPL): 85分贝 @ 9V, 10厘米 技术: Piezo | ¥5.10759 |
 | TP234009-1 | DB无限 (DB Unlimited) | 额定电压: 9 V 频率: 4千赫兹 大小/尺寸: 0.906“直径（23.00毫米） 声压等级(SPL): 80分贝 @ 9V, 10厘米 技术: Piezo | ¥5.10759 |
 | TP245515-2 | DB无限 (DB Unlimited) | 额定电压: 15伏 大小/尺寸: 0.945“直径（24.00毫米） 声压等级(SPL): 90分贝 @ 15V, 10厘米 技术: Piezo | ¥5.10759 |
 | TP20N | 艾沛克斯 (Apex) | SCREWDRIVER HEX 0.05" 3.5" | ¥34.76592 |
 | TP275 | 百通 (Belden) | THREAD PROTECTOR | ¥1.04008 |
| TP25960C01 | 泛达 (Panduit) | BATTERY LI-ION 18V 3.0AH | ¥1.96659 |
TP2424N8-G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，TP2424N8-G 由 微芯 (Microchip) 设计生产，可通过久芯网进行购买。TP2424N8-G价格参考￥14.282999，你可以下载 TP2424N8-G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询TP2424N8-G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
微芯 (Microchip)
Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商，为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利...
