9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFH7936TRBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFH7936TRPBF参考价格1.130598美元。Infineon Technologies IRFH7936TRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 30V 20A/54A 8PQFN。您可以下载IRFH7936TRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFH7932TRPBF是MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56，包括卷筒封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于PQFN-8，该PQFN-8提供Si等技术特性，通道数设计用于1通道，以及单四漏三源配置，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为3.4 W，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为48 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为104 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，第Vgs栅极-源极阈值电压为1.35V至2.35V，Rds导通漏极-源极电阻为3.9mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为23ns，典型接通延迟时间为20ns，Qg栅极电荷为34nC，正向跨导最小值为59S，沟道模式为增强。
IRFH7934TRPBF是MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.5欧姆20nC，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表注释中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，该器件还可以用作20nC Qg栅极电荷。此外，Pd功耗为3.1W，该器件采用卷筒包装，该器件具有PQFN-8封装盒，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，Id连续漏电流为76A。
IRFH7936PBF带有由IR制造的电路图。IRFH7936 PBF以PQFN封装形式提供，是IC芯片的一部分。
