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BSB015N04NX3 G是MOSFET N-Ch 40V 180A CanPAK3 MX OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了零件别名，用于BSB015NO4NX3XT BSB015NO 4NX3XUMA1 SP000597852，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于OptiMOS，以及WDSON-2封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单四漏三源配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为2.8 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，下降时间为7.6 ns，上升时间为6.4 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为35A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为36ns，典型接通延迟时间为23ns，沟道模式为增强。
BSB014N04LX3 G是MOSFET N-Ch 40V 180A CanPAK3 MX OptiMOS 3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于12 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如60 ns，晶体管类型设计为在1 N通道中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作OptiMOS商标。此外，该技术为Si，该器件为OptiMOS 3系列，该器件的上升时间为8.4 ns，漏极-源极电阻Rds为1.4 mOhms，Pd功耗为2.8 W，零件别名为BSB014N04LX3GXT BSB014R04LX3GXUMA1 SP000597850，包装为卷筒，包装盒为CanPAK-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-40℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为36 A，下降时间为10 ns，配置为单四漏双源，通道模式为增强型。
BSB014N04LX3GXUMA1是MOSFET N-Ch 40V 180A CanPAK3 MX OptiMOS 3，包括1个信道数量的信道，它们设计用于WDSON-2封装盒，包装如数据表说明所示，用于卷筒，提供部件别名功能，如BSB014R04LX3 BSB014NX4LX3GXT G SP000597850，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，晶体管类型为1 N沟道。
带有INFINEON制造的EDA/CAD模型的BSB015N04NX3G。BSB015N04NX3G在MG-WDSON-2封装中提供，是FET的一部分-单个。
