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GA20SICP12-247

  • 描述:漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 45A (Tc) 最大功耗: 282W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 基因半导体公司 (GeneSiC)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥10.60361
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥10.60
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规格参数

  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 包装/外壳 至247-3
  • 制造厂商 基因半导体公司 (GeneSiC)
  • 漏源电压标 (Vdss) 1200伏
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 场效应管类型 -
  • 最大栅源极电压 (Vgs) -
  • 部件状态 过时的
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 45A (Tc)
  • 技术 碳化硅结型晶体管
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3091 pF @ 800 V
  • 最大功耗 282W(Tc)
  • 供应商设备包装 TO-247AB
  • 导通电阻 Rds(ON) 50毫欧姆 @ 20A
  • 样式 -

GA20SICP12-247 产品详情

GA20SICP12-247所属分类:分立场效应晶体管 (FET),GA20SICP12-247 由 基因半导体公司 (GeneSiC) 设计生产,可通过久芯网进行购买。GA20SICP12-247价格参考¥10.603606,你可以下载 GA20SICP12-247中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询GA20SICP12-247规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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