9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPL65R310E6AUMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPL65R310E6AUMA1参考价格1.07000美元。Infineon Technologies IPL65R310E6AUMA1封装/规格：MOSFET N-CH 650V 13.1A THIN-PAK。您可以下载IPL65R310E6AUMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPL65R230C7是MOSFET N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7，包括CoolMOS C8系列，它们设计用于卷盘封装。IPL65R130C7AUMA1 SP001032728中使用的数据表注释中显示了零件别名，该产品提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于CoolMOS，以及VSON-4封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为67 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，下降时间为22 ns，上升时间为5 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为10A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V至4V，Rds导通漏极-漏极电阻为230mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为71ns，典型导通延迟时间为8ns，Qg栅极电荷为20nC，沟道模式为增强。
IPL65R1K0C6SATMA1，带用户指南，包括3 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于650 V，提供典型的开启延迟时间功能，如6.6 ns，典型的关闭延迟时间设计为41 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为CoolMOS，该器件采用Si技术提供，该器件具有XPL65R1系列，上升时间为5.2 ns，漏极源极电阻Rds为1欧姆，Qg栅极电荷为15 nC，Pd功耗为34.7 W，部件别名为IPL65R1K0C6S SP001163084，封装为卷轴，封装盒为SON-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-40℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为4.2 A，下降时间为13.6 ns，配置为单一。
IPL65R1K5C6SATMA1带有电路图，包括单配置，它们设计为在18.2 ns下降时间下工作，Id连续漏电流如数据表注释所示，用于3A，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为SON-8，器件采用卷筒封装，器件具有IPL65R1K5C6S SP001163086部件别名，Pd功耗为26.6 W，Qg栅极电荷为11 nC，漏极电阻Rds为1.5欧姆，上升时间为5.9 ns，系列为XPL65R1，技术为Si，商品名为CoolMOS，并且晶体管极性是N沟道，并且晶体管类型是1N沟道，典型关断延迟时间是33ns，典型接通延迟时间是7.7ns，Vds漏极-源极击穿电压是650V，Vgs栅极-源极电压是30V，并且Vgs栅极源极阈值电压是3V。
