福利
● 4.5V VGS时的超低RDS（开启）
● 低电荷和低栅极阻抗，降低开关损耗
● 充分表征雪崩电压和电流
应用
● 带同步整流的高频DC-DC变换器
特色
- 符合RoHS
- 低RDS（打开）
- 行业领先的质量
- 动态dv/dt额定值
- 快速切换
- 完全雪崩等级
- 175°C工作温度
IRF7456TRPBF-1
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Ta） 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥18.90397
-
数量:
- +
- 总计: ¥18.90
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规格参数
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
- 供应商设备包装 8-SOIC
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 最大功耗 2.5W（Ta）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.8伏、10伏
- 部件状态 过时的
- 漏源电流 (Id) @ 温度 16A（Ta）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 62 nC @ 5 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3640 pF @ 15 V
- 导通电阻 Rds(ON) 6.5毫欧姆 @ 16A, 10V
IRF7456TRPBF-1 产品详情
IRF7456TRPBF-1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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 | IRF3205PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc） 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.96479 |
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 | IRFZ24NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.93918 |
 | IRF3710PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 57A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.19608 |
 | IRFB4228PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 83A (Tc) 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥30.63747 |
 | IRFZ34NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc） 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.89476 |
IRF7456TRPBF-1所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRF7456TRPBF-1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRF7456TRPBF-1价格参考￥18.903969，你可以下载 IRF7456TRPBF-1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRF7456TRPBF-1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
