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BSP298H6327XUSA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Ta) 最大功耗: 1.8W(Ta) 供应商设备包装: PG-SOT223-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥43.08077
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥43.08
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 400 pF @ 25 V
  • 最大功耗 1.8W(Ta)
  • 包装/外壳 至261-4,至261AA
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 1毫安
  • 漏源电压标 (Vdss) 400伏
  • 供应商设备包装 PG-SOT223-4
  • 部件状态 过时的
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 500毫安 (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 3欧姆 @ 500毫安, 10V

BSP298H6327XUSA1 产品详情

BSP298H6327XUSA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),BSP298H6327XUSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BSP298H6327XUSA1价格参考¥43.080769,你可以下载 BSP298H6327XUSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BSP298H6327XUSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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