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IRLML0100TRPBF-1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A(Ta) 最大功耗: 1.3W(Ta) 供应商设备包装: Micro3/SOT-23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥20.97544
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥20.98
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±16V
  • 最大功耗 1.3W(Ta)
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 1.6A(Ta)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 290 pF@25 V
  • 部件状态 过时的
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 2.5 nC @ 4.5 V
  • 供应商设备包装 Micro3/SOT-23
  • 导通电阻 Rds(ON) 220毫欧姆@1.6A,10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@25A.
  • 样式 -

IRLML0100TRPBF-1 产品详情

N沟道功率MOSFET 100V,英飞凌

Infineon系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装和引线封装的N沟道器件。以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内,电阻基准降低了传导损耗,使设计人员能够提供最佳的系统效率。

特色

  • 针对分发合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
  • 根据JEDEC标准进行产品鉴定
  • 逻辑电平:针对10V栅极驱动电压进行了优化,能够提供4.5V栅极驱动电压
  • 行业标准表面安装组件
  • 能够进行波峰焊接
IRLML0100TRPBF-1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRLML0100TRPBF-1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRLML0100TRPBF-1价格参考¥20.975438,你可以下载 IRLML0100TRPBF-1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRLML0100TRPBF-1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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