9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSP300H6327XUSA1,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。BSP300H6327XUSA1价格参考1.386美元。Infineon Technologies BSP300H6327XUSA1封装/规格:MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4。您可以下载BSP300H6327XUSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BSP300 H6327带有引脚细节,包括BSP300系列,它们设计用于卷筒包装,零件别名如数据表注释所示,用于BSP300H6327XUSA1 SP001058720,提供SMD/SMT等安装方式功能,封装盒设计用于PG-SOT223以及Si技术,该设备也可以用作1信道数信道。此外,该配置为1 N沟道,该器件为1 N型沟道晶体管,该器件具有1.8 W的Pd功耗,其最大工作温度范围为+150 C,其最小工作温度范围是-55 C,下降时间为21 ns,上升时间为16 ns,Vgs栅极-源极电压为20 V,Id连续漏极电流为190 mA,Vds漏极-源极击穿电压为800V,Vgs栅极-源极阈值电压为3V,Rds导通漏极-漏极电阻为20欧姆,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为27ns,典型接通延迟时间为7ns,正向跨导最小值为0.06S,沟道模式为增强。
BSP300 L6327是INFINEON制造的MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223。BSP300 L6327在TO-261-4、TO-261AA封装中提供,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223、Trans MOSFET N-CH800V 0.19A Automotive 4引脚(3+Tab)SOT-223 T/R。
BSP300E6327是由INF制造的MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223。BSP300E6 327以TO-261-4、TO-261AA封装形式提供,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET N-CH800V 190MASOT-223。