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IPL65R460CFDAUMA1带有引脚细节，包括XPL65R460系列，它们设计用于卷筒包装，数据表注释中显示了IPL65R560CFD SP000949260中使用的零件别名，该产品提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于CoolMOS，以及VSON-4封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为2信道，该器件采用双共源配置，该器件具有晶体管型2N信道，Pd功耗为83.3 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，下降时间为8 ns，上升时间为7 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为8.3A，Vds漏极-源极击穿电压为700V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为460mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为38ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为31.5nC。
IPL65R650C6SATMA1，带用户指南，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于650 V，提供典型的开启延迟时间功能，如12 ns，典型的关闭延迟时间设计为80 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为CoolMOS，该器件采用Si技术，该器件具有XPL65R650系列，上升时间为9纳秒，漏极源极电阻Rds为650毫欧，Qg栅极电荷为21 nC，Pd功耗为56.8 W，部件别名为IPL65R650C6S SP001163082，包装为卷筒，包装盒为SON-8，通道数量为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-40 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为6.7 A，下降时间为13 ns，配置为单一。
IPL65R660E6带有电路图，包括卷筒包装，设计用于IPL65R560E6AUMA1 SP000895212部件别名，系列如数据表注释所示，用于XPL65R660，该产品提供Si等技术特性。
