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IPD65R225C7是MOSFET N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7，包括CoolMOS C8系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名显示在IPD65R125C7ATMA1 SP000929430中使用的数据表注释中，该产品提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为63 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为6 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为11A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs第th栅极-源阈值电压为3V至4V，Rds导通漏极-漏极电阻为225mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为48ns，典型导通延迟时间为9ns，Qg栅极电荷为20nC，并且信道模式是增强。
IPD65R1K4CFDBTMA1带有用户指南，包括700 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.139332盎司的单位重量运行，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性特性，如N沟道、商品名设计用于CoolMOS以及Si技术，该设备也可以用作IPD65R1系列。此外，Rds漏极源极电阻为1.4欧姆，该器件以IPD65R1K4CFD SP000953126零件别名提供，该器件有一卷封装，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，Id连续漏极电流为8.2 a。
IPD65R250C6是MOSFET N-Ch 700V 16.1A DPAK-2，包括1个通道数量的通道，它们设计为与卷轴封装一起工作。IPD65R550C6XT IPD65R350C6XTMA1 SP000898654中使用的数据表注释中显示了部分别名，该产品提供了XPD65R250等系列功能，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。
