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IPL65R650C6SATMA1带有引脚细节，包括XPL65R650系列，它们设计用于卷筒包装。IPL65R550C6S SP001163082提供SMD/SMT等安装样式功能，产品名称设计用于CoolMOS，以及SON-8封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为56.8 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，下降时间为13 ns，上升时间为9 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为6.7A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为650mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为12ns，Qg栅极电荷为21nC。
IPL65R660E6带有用户指南，包括Si技术，它们设计用于XPL65R660系列，数据表注释中显示了IPL65R560 E6AUMA1 SP000895212中使用的零件别名，该产品提供卷筒等包装功能。
IPL65R660E6AUMA1带有电路图，包括VSON-4封装盒，它们设计用于卷筒包装，数据表注释中显示了IPL65R760E6 SP000895122中使用的零件别名，该产品提供Si等技术特性。
