9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPP120P04P404AKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPP120P04P404AKSA1价格参考1.09000美元。Infineon Technologies IPP120P04P404AKSA1封装/规格：MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3。您可以下载IPP120P04P404AKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPP120N20NFD带有引脚细节，包括XPP116N20系列，它们设计用于管式包装，零件别名如数据表注释所示，用于IPP120N2 0NFDAKAKSA1 SP001108122，该设备提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及to-220-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为300 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅源电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为84A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为10.6mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为24ns，典型接通延迟时间为13ns，Qg栅极电荷为65nC，正向跨导Min为139S，并且信道模式是增强。
IPP120N20NFDAKSA1是MOSFET N-Ch 200V 84A TO220-3，包括第3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于200 V，提供单位重量功能，如0.211644盎司，典型开启延迟时间设计为13 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以OptiMOS商品名提供，该器件具有Si of Technology，上升时间为10ns，Rds漏极-源极电阻为10.6mOhms，Qg栅极电荷为65nC，Pd功耗为300W，部件别名为IPP120N20NFD SP001108122，封装为Tube，封装外壳为TO-220-3，通道数量为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+175 C，Id连续漏电流为84 A，正向跨导最小值为70 S，下降时间为8 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPP120P04P4-04是MOSFET P-Ch-40V-120A TO220-3 OptiMOS-P2，包括-120A Id连续漏极电流，它们设计为以1通道数量的通道运行，数据表说明中显示了用于to-220-3的封装情况，该封装提供了管等封装功能，零件别名设计用于IPP120PO4P404AKSA1 IPP120Po4P404XK SP000842278，该器件还可以用作OptiMOS-P2系列。此外，该技术为硅，该器件以OptiMOS商品名提供，该器件具有晶体管极性的P沟道，晶体管类型为1个P沟道、单位重量为0.211644盎司，Vds漏极-源极击穿电压为-40 V。
IPP120N10S405AKSA1具有EDA/CAD型号，包括管封装，它们设计为与to-220-3封装盒一起工作。数据表注释中显示了用于Si的技术，该Si提供晶体管极性特性，如N沟道，零件别名设计为在IPP120N20S4-05 SP001102616以及1 N沟道晶体管类型中工作，该设备也可以用作1信道数信道。
